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FDP3652  与  IPP12CN10L G  区别

型号 FDP3652 IPP12CN10L G
唯样编号 A-FDP3652 A-IPP12CN10L G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 150W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 16 毫欧 @ 61A,10V 9.9mΩ
上升时间 - 9ns
Qg-栅极电荷 - 58nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 57S
封装/外壳 TO-220AB -
连续漏极电流Id 9A 69A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® OptiMOS2
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP3652 ON Semiconductor 通用MOSFET

9A(Ta),61A(Tc) ±20V 150W(Tc) 16m Ohms@61A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 100V 9A 16 毫欧 @ 61A,10V -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W

暂无价格 0 对比
AUIRFB4610 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 73A 14mΩ 190W 车规

暂无价格 0 对比
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IPP12CN10L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W

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IPP12CN10L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP12CN10LGXKSA1_100V 69A 9.9mΩ 20V 125W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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